Merkmale
NVMe Version: 2.0
Unterstützte Sicherheitsalgorithmen: 256-bit AES
SSD Speicherkapazität: 2 TB
SSD-Formfaktor: M.2
Schnittstelle: PCI Express 4.0
Eigenschaft: NVMe
Speichertyp: V-NAND TLC
Komponente für: Universal
Eigenschaft: Hardwareverschlüsselung
M.2 SSD- Größe: 2280 (22 x 80 mm)
Lesegeschwindigkeit: 5000 MB/s
Schreibgeschwindigkeit: 4200 MB/s
PCI-Expressschnittstelle Daten-Lanes: x4
PCI Express CEM Revision: 4.0
Eigenschaft: S.M.A.R.T. Unterstützung
Eigenschaft: TRIM-Unterstützung
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF): 1500000 h
TBW-Bewertung: 1200
Energie
Arbeitsspannung: 3,3 V
Energieverbrauch (lesen): 5,5 W
Energieverbrauch (schreiben): 4,7 W
Stromverbrauch (Sleep-Modus): 0,005 W
Energieverbrauch (idle): 0,06 W
Gewicht und Abmessungen
Breite: 80,2 mm
Tiefe: 22,1 mm
Höhe: 2,38 mm
Gewicht: 9 g
Verpackungsdaten
Verpackungsart: Box
Betriebsbedingungen
Betriebstemperatur: 0 - 70 °C
Temperaturbereich bei Lagerung: -40 - 85 °C
Relative Luftfeuchtigkeit in Betrieb: 5 - 95%
Luftfeuchtigkeit bei Lagerung: 5 - 95%
Vibrationen außer Betrieb: 20 G
Stoßfestigkeit außer Betrieb: 1500 G
Sonstige Funktionen
Garantiezeit: 5 Jahr(e)
MZ-V9E2T0BW 990 EVO PCIe SSD
EU-Produktsicherheitsverordnung (GPSR) Informationen zum Hersteller
Samsung Electronics Austria GmbH
Praterstraße 31
1020 Wien
https://www.samsung.com/at/
+43 1 516 15 - 0
https://www.samsung.com/at/support/contact/
Produktkategorie:
SAMSUNG Speicher SSD MZ-V9E2T0BW
