Merkmale
NVMe Version: 2.0
Unterstützte Sicherheitsalgorithmen: 256-bit AES
SSD Speicherkapazität: 1 TB
SSD-Formfaktor: M.2
Schnittstelle: PCI Express 4.0
Eigenschaft: NVMe
Speichertyp: V-NAND MLC
Komponente für: PC
Eigenschaft: Hardwareverschlüsselung
Lesegeschwindigkeit: 7450 MB/s
Schreibgeschwindigkeit: 6900 MB/s
Zufälliges Lesen (4KB): 1200000 IOPS
Zufälliges Schreiben (4KB): 1550000 IOPS
PCI-Expressschnittstelle Daten-Lanes: x4
Eigenschaft: DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung
Eigenschaft: S.M.A.R.T. Unterstützung
Eigenschaft: TRIM-Unterstützung
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF): 1500000 h
Energie
Arbeitsspannung: 3,3 V
Stromverbrauch (max.): 7,8 W
Stromverbrauch (durchschnittl.): 5,4 W
Gewicht und Abmessungen
Breite: 80 mm
Tiefe: 2,3 mm
Höhe: 22 mm
Gewicht: 9 g
Verpackungsdaten
Verpackungsart: Box
Betriebsbedingungen
Betriebstemperatur: 0 - 70 °C
Minimale Betriebstemperatur: 0 °C
Maximale Betriebstemperatur: 70 °C
Vibrationen in Betrieb: 1500 G
Sonstige Funktionen
Garantiezeit: 5 Jahr(e)
MZ-V9P1T0BW 1TB 990 PRO M
EU-Produktsicherheitsverordnung (GPSR) Informationen zum Hersteller
Samsung Electronics Austria GmbH
Praterstraße 31
1020 Wien
https://www.samsung.com/at/
+43 1 516 15 - 0
https://www.samsung.com/at/support/contact/
Produktkategorie:
SAMSUNG Speicher SSD MZ-V9P1T0BW
