Kapazität 2TB
Bauform Solid State Module (SSM)
Formfaktor M.2 2280
Schnittstelle M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
Lesen 7450MB/s
Schreiben 6900MB/s
IOPS 4K 1400k lesend, 1550k schreibend
Speichermodule 3D-NAND TLC, Samsung
TBW 1.2PB (entspricht 600TB TBW je 1TB Kapazität)
Schreibzyklen (TBW/Kapazität) 600 (entspricht 300 Schreibzyklen je 1TB Kapazität)
Zuverlässigkeitsprognose 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
Controller Samsung Pascal
DRAM-Cache ja, 2GB LPDDR4
Protokoll NVMe 2.0
Datenschutzfunktionen 256bit AES, TCG Opal 2.0
Leistungsaufnahme 8.5W (maximal), 5.5W (Betrieb), 55mW (Leerlauf), 5mW (Schlafmodus)
Abmessungen 80x22x2.3mm (ohne Kühlkörper)
Besonderheiten L1.2 Low-Power-Standby
Garantie 5 Jahre (oder bis Erreichen der TBW)
MZ-V9P2T0BW 990 Pro NVMe M
EU-Produktsicherheitsverordnung (GPSR) Informationen zum Hersteller
Samsung Electronics Austria GmbH
Praterstraße 31
1020 Wien
https://www.samsung.com/at/
+43 1 516 15 - 0
https://www.samsung.com/at/support/contact/
Produktkategorie:
SAMSUNG Speicher SSD MZ-V9P2T0BW
