Kapazität 4TB (entspricht ca. 3725.29GiB bzw. 3.64TiB
Bauform Solid State Module (SSM)
Formfaktor M.2 2280
Schnittstelle M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) oder M.2/M-Key (PCIe 5.0 x2)
Lesen 7250MB/s
Schreiben 6300MB/s
IOPS 4K 1050k lesend, 1400k schreibend
Speichermodule 3D-NAND TLC, Samsung, 236 Layer (V-NAND v8)
TBW 2.4PB (entspricht 600TB pro TB Kapazität)
Zuverlässigkeitsprognose 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
Controller Samsung Piccolo/S4LY022, 4 Kanäle
DRAM-Cache nein
Protokoll NVMe 2.0
Datenschutzfunktionen 256bit AES, TCG Opal 2.0, Microsoft eDrive
Leistungsaufnahme 5.5W (Betrieb), 60mW (Leerlauf), 5mW (Schlafmodus)
Abmessungen 80.15x22.15x2.38mm (ohne Kühlkörper)
Besonderheiten L1.2 Low-Power-Standby
Garantie 5 Jahre
MZ-V9S4T0BW 990 EVO Plus NVMe
EU-Produktsicherheitsverordnung (GPSR) Informationen zum Hersteller
Samsung Electronics Austria GmbH
Praterstraße 31
1020 Wien
https://www.samsung.com/at/
+43 1 516 15 - 0
https://www.samsung.com/at/support/contact/
Produktkategorie:
SAMSUNG Speicher SSD MZ-V9S4T0BW
