Kapazität 4TB
Bauform Solid State Module (SSM)
Formfaktor M.2 2280
Schnittstelle M.2/M-Key (PCIe 5.0 x4)
Lesen 14800MB/s
Schreiben 13400MB/s
IOPS 4K 2200k lesend, 2600k schreibend
Speichermodule 3D-NAND TLC, Samsung, 236 Layer (V-NAND v8)
TBW 2.4PB (entspricht 600TB pro TB Kapazität)
Zuverlässigkeitsprognose 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
Controller Samsung Presto
DRAM-Cache ja, 4GB LPDDR4X
Protokoll NVMe 2.0
Datenschutzfunktionen 256bit AES, TCG Opal 2.0
Leistungsaufnahme 9W (maximal), 8.2W (Betrieb), 6.5mW (Leerlauf), 5.7mW (Schlafmodus)
Abmessungen 80x22mm (ohne Kühlkörper)
Besonderheiten L1.2 Low-Power-Standby
Garantie 5 Jahre
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EU-Produktsicherheitsverordnung (GPSR) Informationen zum Hersteller
Samsung Electronics Austria GmbH
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Produktkategorie:
SAMSUNG Speicher SSD MZ-VAP4T0BW
